岡山大学が新たな半導体分析技術を開発！非破壊で深さ測定が可能に

岡山大学、新たな半導体分析技術を発表

国立大学法人岡山大学が、最先端の半導体技術に新しい風を吹き込むこととなる分析手法を開発しました。国際研究グループと連携して行われたこの研究は、シリコンウェハに埋め込まれたPN接合の深さを非破壊かつ非接触で、ナノメートル精度で推定する画期的な方法です。

新しい分析手法の概要

2025年6月20日、岡山大学とライス大学、サムスン電子の研究者たちは、テラヘルツ波に関連する新て法を発表しました。この技術では、フェムト秒レーザーをPN接合に照射し、放射されるテラヘルツ波を観察することで深さを測定します。今までの手法に比べて、簡単かつ高精度な測定が可能になりました。

特に、PN接合がウェハの表面に近い場合でも、その深さを正確に計測できる点が大きな利点です。この方法は、従来の手法では困難だった微細構造の評価を実現し、半導体産業への寄与が期待されています。

半導体産業へのインパクト

岡山大学の今回の取り組みは、三次元LSIなどの先進的な半導体デバイスの開発を支える重要な要素になるとされています。新しい分析技術は、信頼性とエネルギー効率の向上にも貢献し、半導体製造プロセス全体にわたる改善をもたらすと予想されています。

斗内政吉特任教授は、「半導体産業の再興は日本の未来にとって重要です。失った技術に追いつくだけでなく、革新を追求する必要があります」とコメントしています。この新技術は、特に材料やデバイス開発の道を開く大きな一歩となるでしょう。

さらなる研究開発の展望

岡山大学では、今回の研究が迷惑をかけるのではなく、むしろ新たな可能性を切り開くものとして受け入れられています。半導体業界における地味ながらも重要な役割を果たす分析技術は、今後ますます進化していくことが期待されています。さらなる研究が進むことで、半導体分野の発展に貢献するさらなる進展があることでしょう。

この技術開発は、岡山大学が地域中核・特色ある研究大学としての役割を果たすための一環でもあります。技術革新を通して、地域社会や産業に貢献し、持続可能な開発目標（SDGs）を支援していくことが求められています。岡山大学は今後も研究を深化させ、地域とともに未来を見据えた取り組みを続けていくでしょう。